机译:硅晶圆厂兼容的n-InP和p-InGaAs触点,用于光子应用
机译:具有n / sup +/- InP接触层的InP / InGaAs HBT,由MOMBE使用SiBr / sub 4 /
机译:在重掺杂InP发射极层上具有低电阻触点的InP / InGaAs异质结双极晶体管
机译:用于纳米电子和光子接触技术应用的InGaAs和InP层的清洁
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:用于纳米电子和光子接触技术应用的InGaAs和InP层的清洁